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产品描述： 区熔法生产的本征及超高阻单晶，并可加工为多种规格硅片。 在高纯环境下通过区熔法拉制的含有极少量杂质的硅单晶,其电阻率通常在1000Ω.cm以上,主要用于高反压器件和光电子器件。 产品参数： 导电类型： N&P 晶向： <100>,<110>,<111> 直径： （30～175）mm 电阻率范围： （300～20000）Ω.cm
导电类型：
N&P
晶向：
<100>,<110>,<111>
直径：
（30～175）mm
电阻率范围：
（300～20000）Ω.cm
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