产品描述：

        区熔法生产的本征单晶，经中子辐射掺杂可获得各种规格电阻率，可加工为多种规格硅片。
        未经掺杂的高纯区熔本征硅单晶通过中子照射，使部分硅原子变成磷原子，从而获得掺杂原子的高均匀分布的效果。这一工艺大大提高了原始单晶硅材料的有效利用率；电阻率均匀性好，从而大幅度改善单晶硅性能，保证了器件的成品率和优级品率。其主要用于制作半导体功率器件（SR硅整流器、SCR可控硅、GTR巨型晶体管、GRO晶闸管、SITH静电感应晶闸管、IGBT绝缘栅双极晶体管、PIN超高压二极管、SMART POWER智能功率器件、POWER IC功能集成器件等）以及半导体功率集成电路的主体功能材料，也是多种高能探测器、光电子器件和特殊功率器件等的主体功能材料。

    产品参数：

导电类型：	N&P
晶向：	<100>,<110>,<111>
直径：	（30～175）mm
电阻率范围：	（300～800）Ω.cm