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- 气相掺杂区熔硅单晶（GDFZ）
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- 编号： 浏览次数：283次
- 型号：
产品描述
产品参数
产品介绍
产品描述：
区熔法生产的不同电阻率规格气相掺杂硅单晶，可加工为多种规格硅片。
利用杂质的扩散机理，在用区熔法拉制硅单晶的过程中加入气相杂质氛围，并通过控制杂质气体的杂质含量和气体流量的方法控制单晶的电阻率。适用于各类半导体功率器件及高效太阳能电池等。
产品参数：
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导电类型：
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N&P
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晶向：
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<100>,<110>,<111>
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直径：
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（30～175）mm
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电阻率范围：
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（0.001～400）Ω.cm
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