半导体器件

金属氧化物半导体场效应晶体管[MOSFET]

产品概述

N沟道增强型功率场效应管,采用平面条栅技术,具有较低的通态电阻,更高的开关频率,更强的抗单脉冲雪崩击穿能力。主要用在高频电源开关、PDP、电源适配器等领域。

MOSFET的主要产品规格

Product

VDSS

(V)

RDS(on)

(Ω)

ID

(A)

VGS(th)V

VSDV

外形

outline

HX1N60

600

11.50

1.2

2.04.0

1.4

TO-92/251/252/220/220

HX1N65

650

11.80

1.2

2.04.0

1.4

TO-251/252/220/220F

HX2N60(C)

600

5.00

2.0

2.0-4.0

1.4

TO-251/252/220/220F

HX2N65(C)

650

5.30

2.0

2.0-4.0

1.4

TO-251/252/220/220F

HX2N70(C)

700

7.00

2.0

2.0-4.0

1.4

TO-220/220F

HX4N60(C)

600

2.50

4.4

2.0-4.0

1.4

TO-251/252/220/220F

HX4N65(C)

650

2.80

4.4

2.0-4.0

1.4

TO-251/252/220/220F

HX5N60

600

2.50

4.6

2.0-4.0

1.4

TO-251/252/220/220F

HX6N60

600

2.50

5.5

2.0-4.0

1.4

TO-251/252/220/220F

HX7N60(C)

600

1.00

7.4

3.0-5.0

1.4

TO-220/220F

HX7N65(C)

650

1.40

7.0

2.0-4.0

1.4

TO-220/220F

HX8N60

600

1.20

7.6

2.0-4.0

1.4

TO-220/220F

HX8N65

650

1.20

7.6

2.0-4.0

1.4

TO-220/220F

HX9N90

900

1.40

9.0

3.0-5.0

1.4

TO-247/3P

HX10N60

600

0.73

9.5

2.0-4.0

1.4

TO-220/220F

HX12N60

600

0.65

12.0

2.0-4.0

1.4

TO-220/220F

HX13N50

500

0.48

13.0

2.0-4.0

1.4

TO-220/220F

HX16N50

500

0.32

16.0

3.0-5.0

1.4

TO-220/220F/247/3P

HX18N50

500

0.27

18.0

3.0-5.0

1.4

TO-247/3P

HX20N50

500

0.26

20.0

2.0-4.0

1.5

TO-247/3P

HX24N50

500

0.20

24.0

3.0-5.0

1.4

TO-247/3P

HX630

300

0.40

9.0

2.0-4.0

1.5

TO-220/220F

HX634

250

0.43

8.0

2.0-4.0

1.5

TO-220/220F

HX640

200

0.18

18.0

2.0-4.0

1.5

TO-220/220F

HX730(C)

400

1.00

6.0

2.0-4.0

1.4

TO-220/220F

HX740(C)

400

0.50

10.50

2.0-4.0

1.4

TO-220/220F

HX830(C)

500

1.50

5.0

2.0-4.0

1.4

TO-220/220F

HX840(C)

500

0.80

9.0

2.0-4.0

1.4

TO-220/220F

HX50N06

6

0.02

50.0

2.2-3.8

1.5

TO-

HX70N06

6

0.02

70.0

2.0-4.0

1.5

TO-

HX10N65

650

0.

9.5

2.0-4.0

1.4

TO-220/220F

HX12N65

650

0.

12.0

2.0-4.0

1.4

TO-220/220F

 

 

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