3月17日,天津市政府在天津大礼堂召开了天津市知识产权战略纲要发布暨实施动员大会。会上,市政府对荣获专利奖项的单位和个人进行了颁奖和表彰。其中,环欧公司以沈浩平、刘为钢、高福林、高树良、李翔、汪雨田为专利发明人,所研究发明的《大直径区熔硅单晶制备方法》荣获“中国专利优秀奖”和“天津市专利金奖”。天津市政府对“天津市专利金奖”项目给予3万元的奖励,集团公司也对该项目给予配套奖励3万元。
自从2002年环欧公司拉制出中国第一颗Φ6”区熔硅单晶,该生产技术的突破标志着我国半导体材料行业的区熔硅单晶生长技术水平达到国际先进水平,同时奠定了我国半导体材料在该技术上与国际发达国家进行竞争的基础。
环欧公司开发的大直径超高阻硅单晶成功地应用在上海同步辐射加速器、国家高能物理分光仪、中国气象研究院海洋气候及大气环流等关键探测器器件上,在光学系统、原子能反应堆系统、卫星导航等科研领域上开辟了新的应用范围,该技术拉制的硅材料直接与国家重点工程——三峡工程的输变电工程配套。此项目提升了我国大直径区熔硅单晶的生产能力,实现了规模化的生产。项目自2002年开始实施以来,环欧公司的产品产量已上升至国际第三,连续六年位居国内第一,国内市场占有率达到70%以上。
(环欧公司)
.jpg)